赵玲利,段小晋,尹明会等 常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究 《半导体学报》2007,28(10):1615-1619_中国科学院微电子研究所 - 发表文章
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 赵玲利,段小晋,尹明会等 常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究 《半导体学报》2007,28(10):1615-1619
2009-04-10 | 编辑:IME | 【

常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究
Etching Si Wafer Using Atmospheric Pressure RF Cold Plasma Jet 

《半导体学报》2007,28(10):1615-1619
作者:赵玲利,段小晋,尹明会,徐向宇,王守国 

中文摘要:
介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验。研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及

衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min。利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效果进行检测与分析,证实了该设备对

硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性。结果表明,该设备在常压下刻蚀硅,操作简单且不易对材料表面产生损伤。

英文摘要:
A new kind of discharging device with a RF cold plasma jet at atmospheric pressure is introduced,and it is utilized to conduct

experimental research on silicon-etching.The characteristics of the etching rate depend on the input power,gas flow,and

temperature of Si wafers.The maximal etching rate is 390nm/min.The etching effect is characterized by step instrument,optical

microscopy,and SEM.Excellent etching homogeneity and satisfactory anisotropy can be obtained during material etching with this

device.These results indicate that the silicon-etching operation with this atmospheric pressure device is simple and causes no

material surface damage.

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