李志强,张健,张海英带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器 《电子学报》 2008,12(36)_中国科学院微电子研究所 - 发表文章
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 李志强,张健,张海英带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器 《电子学报》 2008,12(36)
2009-04-10 | 编辑:IME | 【

带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器

《电子学报》 2008,12(36)
作者:李志强,张健,张海英

中文摘要:
本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器。Balun 采用集总—分布式结构,使其长度与常用 耦合线

Balun相比缩小了11倍,大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸。混频器采用单平衡电阻性结构,在零功耗的情况下

实现了良好的线性和口间隔离性能。测试结果显示,在固定中频160MHz,本振输入功率0dBm条件下,在3.5—5GHz RF频带内,最小变频损耗为

8.3dB,1dB压缩点功率为8.0dBm,LO至IF之间的隔离度为38dB。

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