中国科学院微电子研究所 - 所况介绍
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微电子研究所2009年年鉴

      中国科学院微电子研究所的前身是中国科学院109厂。1958年,为满足国家研制“两弹一星”和高频晶体管计算机的战略需求,109厂应运而生。1965年9月,成为独立的法人单位,由中国科学院直接领导。1986年,109厂与中国科学院半导体、计算技术研究所有关研制大规模集成电路部分合并,更名为中国科学院微电子中心。随着学科的发展,2003年9月更名为中国科学院微电子研究所。
      微电子所当前重点研究方向有:
      一、 核心电子器件产品与技术(包括SOI  CMOS集成电路设计与制造技术、高性能功率VDMOS晶体管、GaN功率器件及集成技术、X射线衍射光学元件等);
      二、 高端通用芯片产品与技术(包括卫星导航定位、手持数字电视接收芯片、高性能多核DSP与嵌入式DSP、宽带无线接入芯片、数字家庭SOC等);
      三、 面向产业的公共技术创新平台(EDA中心);
      四、 集成电路核心技术与先导工艺技术(包括22nm以下集成电路先导工艺技术、光互联与系统封装研究、32nm以下集成电路新设备技术、常压等离子体研究、纳米加工、新型存储器等);
      五、 纳电子基础前沿研究(包括纳米晶非挥发存储器、分子电子器件及集成技术)。           
      截至2008年底,研究所共设有10个研究室,分别为:硅器件与集成技术研究室、专用集成电路与系统研究室、微细加工与纳米技术研究室、微波器件与集成电路研究室、通信与多媒体S O C研究室、电子系统总体技术研究室、电子设计平台与共性技术研究室、微电子设备技术研究室、系统封装技术研究室、集成电路先导工艺研发中心。2008年12月,经中国科学院批准,“中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室”正式成立,该实验室是微电子所第一个中科院重点实验室。实验室的建立,将形成具有自主知识产权的,从材料、工艺到电路和设备应用的完整的微电子创新价值链,形成从科学研究、技术创新到工程应用的综合解决方案,建立微电子工艺技术研制的开放性平台,提供代表性产品,并取得一批具有自主知识产权的创新性成果。同时,实验室的建立还将带动多学科领域的发展,造就一支国际水平的创新团队,为我国相关领域可持续发展和创新跨越奠定基础。
      截至2008年底,微电子所拥有在职职工474人,科研与专业技术人员326人,进入创新人员141人,其中科学院院士2名,研究员32名,副研究员及高级工程师62人,设有博士和硕士学位授予点和博士后流动站,博士生98人,硕士生172人,博士后8人,研究生导师36名,其中博士导师17名,高访客座14名。 
      2008年,微电子所承担的课题有:国家自然基金委项目19项,国家973项目17项,国家863项目11项,中科院项目14项,其它国家项目13项,技术开发合作项目2项,青年人才领域项目8项,所长基金项目38项,研究所领域前沿布局项目43项,国际合作项目1项。主要成果包括:
      一、完成原型开发的下一代高性能GPS卫星导航基带处理器,包含一个全新设计的超高速捕获引擎以及36个多模式跟踪通道。该捕获引擎可以在2秒内实现对所有32颗GPS卫星的搜索。
      二、成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管,获得了满意的器件性能,并对紫外光辐照表现出良好的敏感特性。相关学术论文已被Solid-State Electronics(《固体电子》)、Chinese Physics B(《中国物理B(英文版)》)等期刊收录,受理专利14项。
      三、微电子所提出的超宽带物理信道划分提案被中国无线个域网标准组完全采纳并作为即将出台的中国超宽带标准方案。此外,针对中国UWB频谱规划,展开了6-9GHz频段射频集成电路研究,一次流片成功了低噪声放大器,频率综合器和混频器等核心芯片。
      四、CMMB手持电视套片及其原型系统联调取得进展,研发成功DTV101套件,包括:手持电视核心芯片——DTV101解调芯片;DTV101硬件开发平台、固件、播放器;基于DTV101的USB dongle。)。
      五、新型非挥发性存储器研究取得进展。在替代方案上,提出了利用金属掺杂的技术手段来提高阻变存储器(RRAM)性能和成品率的方法,这是国际上最早提出此概念的两个小组之一,并且得到国际研究热点的跟踪。已在Applied Physics Letters(《应用物理快报》)、Electron Device Letters(《IEEE电子器件快报》)等国际知名杂志发表论文多篇。
      六、InP基HBT与HEMT器件研究取得进展。微电子所采用三台面结构、基极发射极自对准、BCB平坦化等工艺,在器件频率特性、成品率及一致性方面取得突破进展。
      七、小型化超视距卫星通信终端研究取得进展。
      八、不断改进与提高现有射频电源的制作工艺,研发成功10Kw自动匹配器及固体化射频源。
      九、成功研制常压等离子体处理纺织面料设备,这是目前国内最大型的常压等离子体处理设备,也是国内目前为止按照实际生产线要求研制的第一台等离子体处理设备。
      2008年度,微电子所获专利受理131项,其中发明专利128项,集成电路版图1项;获专利授权25项,其中发明专利21项,实用新型3项,集成电路版图1项。共发表论文196篇。      
      2008年,EDA中心顺利召开第二届理事会,并成功换届。理事会确立了EDA中心今后发展的目标和定位——从资源共享提升到共性技术服务和共性技术研发的创新平台。
      EDA中心加大团队建设力度,引进高级人才、积极开展共性技术的研发和自身服务能力的建设,在SoC/IP核共性技术、高端小批量封装设计技术、人才培训等方面取得了重大的进展。同时,积极利用现有的技术服务能力和行业中的产业孵化基地合作,有效提升产业地位。获得工信部电子发展基金“集成电路服务平台”项目,成为国家级SoC/IP公共服务平台,并与CSIP和上海硅知识产权交易中心形成全国的网络互动,提供IP/SoC共性技术服务。联合科技部8个产业化基地,形成了产学研用联盟,为8家基地提供共性技术支撑,服务全国的芯片行业,并获得01国家重大专项的资助。
      基于以上的工作,2008年EDA中心被中国科学院批准为第一批启动的京区专业技术加工服务区域中心,获得创新岗位8个和每年的常规运营经费支持,并因此确立了EDA中心面向产业的公共技术服务平台的地位。
      截至2008年12月底,EDA中心已成立8个联合实验室,分别为与Synopsys公司共建“先进SoC设计联合实验室”,与Mentor Graphics公司共建“先进SoC验证联合实验室”,与Mentor Graphics公司共建“系统设计联合实验室”,与Cadence系统设计公司共建“射频与混合信号IC设计联合实验室”,“射频与混合信号IC设计联合培训中心”,与Magma公司共建“纳米技术IC设计联合实验室”,与Agilent公司共建“微波SoC设计与验证联合实验室”和2008年成立的集成电路IP技术服务开放实验室。
      截至2008年底,微电子所共有持股企业8家,职工200余人。资产总额4011万元,2008年营业收入1900万元。
      2008年微电子研究所共接待国外专家来访和学术交流12个团组共37人,派遣出国访问、讲学、交流11个团组共23人次。聘任国外名誉和客座研究员6人。
      全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会秘书处、全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术工作组秘书处和北京电子学会半导体专业技术委员会制版(光掩模制造)分技术委员会秘书处挂靠在微电子所。


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